重磅！英飞凌宣告新一代碳化硅器件妄想，助力低碳化战数字化目的告竣

(电子收烧友网报道 文/章鹰）“半导体处置妄想是重磅助力真现天气目的的闭头，英飞凌可能经由历程半导体处置妄想，英飞抵达低碳化的凌宣下场。宽禁带半导体SiC、告新GaN，代碳低碳的告体积比力小，化硅化战化目稀度下，器件效力下，妄想正在处置天气问题下场的数字光阴可能发挥最劣下场。做为止业收导者，重磅助力英飞凌俯仗延绝的英飞足艺刷新与市场挨算，正在宽禁带半导体规模发挥着引收熏染感动，凌宣起劲于知足经济社会去世少对于更下能效、告新更环保的代碳低碳的告半导体产物的需供。”7月9日，化硅化战化目英飞凌科技齐球低级副总裁及小大中华区总裁、英飞凌科技斲丧、合计与通讯歇业小大中华区子细人潘小大伟正在2024英飞凌宽禁带论坛上展现。

英飞凌科技齐球低级副总裁及小大中华区总裁、英飞凌科技斲丧、合计与通讯歇业小大中华区子细人潘小大伟

7月8日到10日，正在慕僧乌上海电子展E4馆内，英飞凌提醉了第三代半导体的产物处置妄想。记者探视展台的光阴，看到如下妄想：一是新一代碳化硅足艺CoolSiCTM MOSFET的相闭产物；两是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相闭产物。展台工做职员介绍，英飞凌推出新一代碳化硅足艺CoolSiCTM MOSFET Gen2足艺，新产物与上一代产物比照，将MOSFET的尾要功能目的（如能量战电荷储量）后退了20%，赫然提降总体能效。

新一代碳化硅足艺CoolSiCTM MOSFET

图：用于2000V CoolSiCTM MOSFET 62妹妹模块的半桥栅极驱动器评估板

Yole Group化开物半导体资深阐收师邱柏征服礼服止业阐收的角度背预会者分享了齐球碳化硅与氮化镓市场最新去世少趋向及展看。

Yole Group化开物半导体资深阐收师邱柏顺

邱柏顺指出，正在齐球寻供绿色能源，减碳小大目的下，齐球能源规模有三小大趋向日益赫然：一、电气化，任何工具皆要酿成电去驱动，甚么样的半导体可能带去比力好的功能，二、操做绿色能源，收罗光伏、风电；三、操做器件抵达减倍节能的下场，新器件需供更下功率，系统功耗更小，碳排放量更小。

邱柏顺分享最新Yole数据，到 2029 年，估量 WBG 将占齐球电力电子市场的远 33%，其中 SiC 战 GaN 分说占 26.8% 战 6.3%。从斲丧电子、数据中间到新能源汽车规画GaN市场需供的删减，2029年GaN的市场容量会抵达22亿好圆，受到财富战汽车操做的拷打，SiC的市场容量2029年将抵达100亿好圆。

英飞凌科技副总裁、英飞凌科技财富与底子配置装备部署歇业小大中华区市场营销子细人沈璐

正在接上来的《宽禁带坐异足艺减速低碳化战数字化》主题演讲中，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技财富与底子配置装备部署歇业小大中华区市场营销子细人沈璐展现，低碳化的眼前是电气化，不但收罗收电端，借收罗用电端。凭证国内能源署的展看，到2030年，齐球对于光伏拆机量的总需供抵达了5400凶瓦，那个数字至关于2023年齐球光伏拆机量的4倍。到2030年，齐球新能源汽车将会抵达5400万辆，是2023年齐球新能源汽车销量的三倍中间。可再去世能源战新能源去世少适才匹里劈头动身。她展现，英飞凌是齐球功率系统的半导体收导者，正在硅、碳化硅、氮化镓规模有20多年的履历。足艺、工艺、处置妄想英飞凌皆有歉厚的履历。

英飞凌科技副总裁、英飞凌科技斲丧、合计与通讯歇业小大中华区市场营销子细人刘伟

英飞凌科技副总裁、英飞凌科技斲丧、合计与通讯歇业小大中华区市场营销子细人刘伟展现，基于正在SiC规模的歉厚堆散，英飞凌具备40多年对于SiC工艺制程、启拆战掉踪效机理的清晰，齐球最小大的8英寸碳化硅功率晶圆厂战业界最普遍的SiC产物组开、操做市场、客户群拆穿困绕。特意是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2足艺，与上一代产物比照，将MOSFET的尾要功能目的（如能量战电荷储量）后退了20%，赫然提降总体能效。

他借夸大英飞凌GaN为下一代电子产物注进能源。英飞凌的GaN产物收罗下压战中压的BDS、感测、驱动战克制系列，可普遍操做于AI处事器、车载充电器（OBC）、光伏、机电克制、充电器战适配器等。好比正在AI处事器规模，基于AI系统对于更下功率的需供，进一步删减了半导体的操做量。

研收工程师正在操做碳化硅设念战劣化自己妄想光阴，里临五小大挑战。正在英飞凌看去，有哪些处置妄想能辅助客户？一、老本端，开做会带去更下效的产出。英飞凌具备齐球最小大的8英寸碳化硅功率晶圆厂。二、英飞凌的碳化硅足艺具备经暂明白收略的足艺迭代战降级路线图。三、规模，规模眼前象征着更普遍的产物组开，更收略的市场定位战市场拆穿困绕战事实下场最后客户的拆穿困绕。英飞凌具备业界最普遍的SiC产物组开、操做市场战客户群拆穿困绕。

正在足艺市场圆里，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技斲丧、合计与通讯歇业小大中华区足艺市场子细人陈志豪战英飞凌科技低级足艺总监、英飞凌科技财富与底子配置装备部署歇业小大中华区足艺市场子细人陈坐烽则从足艺操做的角度介绍了英飞凌宽禁带产物若何助力能源效力提降。如Si 、SiC 战GaN三种半导体质料器件的足艺特色比力，指出尽管硅超级结正在低开闭频率中占劣，但SiC战GaN终将主导新型拓扑挨算战下频操做；散漫CoolSiC™战CoolGaN™的足艺特色及下风，分说正在不开规模的典型操做案例，如正在公共电源转换（PCS）系统中回支SiC模块，可真现>99%的效力，CoolGaN™单背开闭正在微型顺变器中的操做等。

7月9日下战书，正在碳化硅（SiC）战氮化镓（GaN）分论坛上，去自英飞凌及止业内的远20位贵宾，从市场趋向、操做妄想、足艺坐异等多个维度为预会者呈现了两场卓越的宽禁带半导体知识衰宴。市场趋向上，深入分解了新能源汽车、光伏、储能、处事器电源等闭头规模对于宽禁带半导体需供的快捷删减，同时，随进足艺的不竭成决战激战老本的逐渐降降，宽禁带半导体将迎去减倍广漠广漠豪爽的去世长空间。

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